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フリップチップ接続技術の最新動向 エレクトロニクス実装学会誌 vol.10 no.5 p.415-422 2007

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2011年3月11日の東日本大震災で、東北地方太平洋岸は壊滅的な被害を受けた。中でも福島第一原発の事故は、日本の電力供給体制を一から見直す必要があることを示唆した。3月20日(金)開催の弊社セミナー「2015 フリップチップ実装技術★徹底解説~実装の基本からパッケージングの最新動向までを詳解~」では、i-packs(技術コンサルタント)代表の塚田 裕氏が、フリップチップ実装技術の基本を接続部・基板・パッケージの.われわれの売り上げの10%以上を占めているのはファーウェイとデンソーの2社だけです。 売り上げの50%を越えるまでにはさらに5社程度が必要な.

チップ多層lcフィルタの最新技術と実装時の注意. 鉛フリーはんだの最近の技術動向. エレクトロニクス実装に用い.2016年10月21日 . Samsung、EUVリソグラフィ採用の7nm FinFET技術を公表. 次世代モバイルを実現する7nmのSRAM技術をTSMCとSamsungが公表.Appendix 5 / 番外編 福井高専発の53MHz放射の跳ね返り信号,約-100dBmを信号処理で捕える USBワンセグとラズパイで日中も !

プリズムローテータを用いた高速高品質レーザ穴あけ加工技術の研究,三菱重工技報 Vol.52 No.1(2015) Author 三菱重工業株式会社

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パナソニック・エレクトロニックデバイスは、海外生産を大幅に増強し、最重点市場のスマートフォン、環境・エネルギーを中心に、グローバル部品需要に対応する。既存の海外11社15拠点の拡充を進め、10年度40%のグローバル売上高海外生産比率を、12年度50%に引き上げる計画。13年度には60.ルネサス エレクトロニクスは10月7日に東京の本社で記者会見を開催し、化合物半導体デバイス事業の事業戦略を発表した。研究の成果1: 極薄チャネル形成技術の開発 ~厚さ約3.5 nmの極薄インジウムガリウムヒ素(InGaAs)チャネル、厚さ10 nm程度の薄膜酸化アルミニウム(Al 2 O 3 )BOX層をもつダブルゲートIII-V MOSFETの開発~

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物理電子システム創造専攻 平成27年度博士課程3月修了予定者 論文発表会 2015.12.25 氏名要点 導電性高分子ファイバーの自発的成長現象を発見 ワイヤレス電極(導電体)間のネットワーク化に成功 エレクトロニクスデバイスにおける新しい配線技術として期待 概要 東京工業大学大学院総合理工学研究科の稲木信介准教授、小泉裕貴博士後期課程1年、冨田育義教授らは、ワイヤレス.フリップチップ実装(fcbga)において実装基板とチップの熱膨張係数の違いにより生じる熱応力が低誘電率層間膜と銅を用いた多層配線の機械的信頼性に与える影響を調べた。